--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT23-3
- 溝道 Single-P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### APM2315AC-VB MOSFET 產品簡介
APM2315AC-VB 是一款單P溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),采用SOT23-3封裝。該器件具有-30V的漏源電壓和最大-5.6A的漏極電流能力,采用先進的Trench技術,具備低導通電阻和高效能特性。
### 詳細參數說明
- **型號**: APM2315AC-VB
- **封裝**: SOT23-3
- **配置**: 單P-溝道
- **漏源電壓(VDS)**: -30V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: -1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 54mΩ @ VGS = 4.5V
- 46mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**: -5.6A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊示例
1. **電源管理系統**:
- APM2315AC-VB 可用于負載開關和電源管理電路,特別適用于便攜式設備和電池驅動器,提供高效的功率管理和長電池壽命。
2. **充電管理**:
- 在移動設備的充電管理電路中,如充電保護電路和電池管理單元(BMS),APM2315AC-VB 可以作為低功耗開關和電流控制器使用。
3. **信號處理**:
- 在低電壓信號處理電路中,APM2315AC-VB 可以用作信號開關,提供高速開關和低電壓降的特性,確保信號傳輸的穩定性。
4. **便攜式電子產品**:
- 適用于各類便攜式電子產品,如智能手機、平板電腦和便攜式音頻設備,通過管理電源消耗和優化電池使用,延長設備續航時間。
5. **醫療設備**:
- 在便攜式醫療設備中,如便攜式監護儀和醫療傳感器,APM2315AC-VB 可以提供高效的電源管理和精確的電流控制,確保設備的可靠運行和安全性。
APM2315AC-VB MOSFET 由于其高效能和低功耗特性,適用于電源管理、充電管理、信號處理以及便攜式電子產品和醫療設備等多種應用場合。
為你推薦
-
BSL307SP-VB一款Single-P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:43
產品型號:BSL307SP-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Single-P -
BSL306N-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:41
產品型號:BSL306N-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Dual-N+N -
BSL215P-VB一款Dual-P+P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:38
產品型號:BSL215P-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Dual-P+P -
BSL214N-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:37
產品型號:BSL214N-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Dual-N+N -
BSL211SP-VB一款Single-P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:35
產品型號:BSL211SP-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Single-P -
BSL207SP-VB一款Single-P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:34
產品型號:BSL207SP-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Single-P -
BSL207N-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:32
產品型號:BSL207N-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Dual-N+N -
BSL205N-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:30
產品型號:BSL205N-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Dual-N+N -
BSH301-VB一款Common Drain-N+N溝道TSSOP8的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:29
產品型號:BSH301-VB 封裝:TSSOP8 溝道:Common Drain-N+N -
BSH207-VB一款Single-P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:27
產品型號:BSH207-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Single-P