--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**型號**: B286L-VB
**封裝**: TO220
**配置**: 單極性N溝道MOSFET
**耐壓**: 80V
**門源電壓**: ±20V
**閾值電壓**: 3V
**導通電阻**:
- 9mΩ @ V_GS = 4.5V
- 7mΩ @ V_GS = 10V
**最大漏電流**: 100A
**技術**: 溝槽型
### 詳細參數說明
- **型號**: B286L-VB
- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單N溝道MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (V_DS)**: 80V
- **柵極-源極最大電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: 3V
- **導通電阻 (R_DS(ON))**:
- 9mΩ @ V_GS = 4.5V
- 7mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏電流 (I_D)**: 100A
- **技術類型**: 溝槽型技術
### 應用領域與模塊示例
1. **電源開關模塊**
B286L-VB 的低導通電阻和高電流能力使其適用于電源開關模塊,能有效處理高電流和高功率,提升系統效率并降低熱損耗。
2. **電動汽車充電器**
由于其高耐壓和穩定的開關性能,該MOSFET 適合用于電動汽車充電器中,提供可靠的功率開關和電流控制,確保充電過程的安全和高效。
3. **工業電機驅動**
在工業電機驅動系統中,B286L-VB 能夠處理大電流負載,提供高效的開關功能和優良的電流控制,支持電機的穩定運行和高性能。
4. **大功率LED驅動**
適用于大功率LED驅動電路中,通過低導通電阻和高電流處理能力,確保LED的高效照明和長壽命,廣泛應用于照明和顯示系統。
為你推薦
-
BSL307SP-VB一款Single-P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:43
產品型號:BSL307SP-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Single-P -
BSL306N-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:41
產品型號:BSL306N-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Dual-N+N -
BSL215P-VB一款Dual-P+P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:38
產品型號:BSL215P-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Dual-P+P -
BSL214N-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:37
產品型號:BSL214N-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Dual-N+N -
BSL211SP-VB一款Single-P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:35
產品型號:BSL211SP-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Single-P -
BSL207SP-VB一款Single-P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:34
產品型號:BSL207SP-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Single-P -
BSL207N-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:32
產品型號:BSL207N-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Dual-N+N -
BSL205N-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:30
產品型號:BSL205N-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Dual-N+N -
BSH301-VB一款Common Drain-N+N溝道TSSOP8的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:29
產品型號:BSH301-VB 封裝:TSSOP8 溝道:Common Drain-N+N -
BSH207-VB一款Single-P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:27
產品型號:BSH207-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Single-P