--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**B288L-VB** 是一款采用 TO263 封裝的單級 N 溝道 MOSFET。該器件利用溝槽工藝制造,具有極低的導通電阻和高電流承載能力,適合高功率和高效率的應用場景。
### 參數說明
- **封裝**:TO263
- **配置**:單級 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:80V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 10V
- 10mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏電流 (ID)**:120A
- **技術**:溝槽工藝
### 適用領域和模塊示例
1. **電源管理**:B288L-VB 的低導通電阻和高電流能力使其非常適合用于電源管理系統中的開關組件,能夠顯著提高電源轉換效率和系統穩定性。
2. **DC-DC 轉換器**:在 DC-DC 轉換器中,這款 MOSFET 能夠處理高電流和高電壓,有效減少功率損耗,提升轉換效率,適合用于高效能電源系統。
3. **電動汽車**:適用于電動汽車的電池管理系統和電機控制模塊,能夠處理大電流負載,增強系統的性能和可靠性。
4. **工業電力開關**:在工業控制和電力開關應用中,B288L-VB 可用于高電流開關,提供穩定的電流控制,提高系統的整體效率和耐用性。
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