**產品簡介：**

B36NF06L-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET，封裝為 TO263，專為中高電壓和高電流應用設計。該 MOSFET 支持 60V 的漏源電壓（VDS）和 50A 的最大漏極電流（ID），在 VGS 為 4.5V 和 10V 時，其導通電阻（RDS(on)）分別為 35mΩ 和 32mΩ。采用 Trench 技術，這款 MOSFET 提供較低的導通阻抗和良好的開關特性，適合用于高功率密度和高效能的電子電路。

**詳細參數說明：**

- **型號**: B36NF06L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單管 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(on))**: 
 - 35mΩ（VGS=4.5V 時）
 - 32mΩ（VGS=10V 時）
- **最大漏極電流 (ID)**: 50A
- **技術**: Trench

**應用領域和模塊示例：**

1. **電源管理系統 (Power Management Systems)**: B36NF06L-VB 的低導通電阻使其非常適合用于電源管理系統，能夠提高系統效率并減少能量損耗。

2. **電動汽車 (Electric Vehicles)**: 在電動汽車的電池管理和動力控制模塊中，該 MOSFET 處理高電流負載，確保系統高效穩定地運行。

3. **工業控制電路 (Industrial Control Circuits)**: 適合用于工業控制電路中的高電流開關應用，提供可靠的開關性能和高電流處理能力。

4. **高效開關電源 (Efficient Switching Power Supplies)**: 在高效開關電源中，B36NF06L-VB 的低 RDS(on) 能有效提高系統的能效，降低功率損耗和散熱需求。