--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**B409L-VB** 是一款高性能單極性P通道場效應晶體管,封裝形式為TO263。該MOSFET采用Trench技術,設計用于處理最高負60V的漏源電壓和最大-80A的電流。其低導通電阻和寬柵源電壓范圍使其在高效能開關和負載控制應用中表現優異,特別適合用于需要高電流和高效率的場合。
### 詳細參數說明
- **型號**: B409L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單極P通道
- **漏源電壓 (V_DS)**: -60V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: -1.7V
- **導通電阻 (R_DS(on))**:
- 25mΩ (V_GS = 4.5V)
- 19mΩ (V_GS = 10V)
- **最大漏電流 (I_D)**: -80A
- **技術**: Trench
### 適用領域和模塊
1. **電源管理**:B409L-VB適用于高效的電源管理系統,特別是在需要負載開關和負電壓控制的場合,如DC-DC轉換器和電源適配器,其低導通電阻和高電流承載能力幫助提升電源系統的效率和穩定性。
2. **電動汽車**:在電動汽車的負載開關和電池管理系統中,這款MOSFET能夠處理高電流負載,提供穩定的開關性能和高效的電力控制,優化電動汽車的整體性能和電池使用壽命。
3. **開關電源**:適用于需要負電壓開關控制的高電壓開關電源系統,B409L-VB能夠有效管理高電流負載,確保電源系統的高效能和可靠性,尤其適合于復雜電源設計中的負載控制。
4. **工業自動化**:在工業自動化設備中,B409L-VB能夠用于高功率開關應用,例如負電壓開關和電機驅動系統,其高電流和低導通電阻特性確保了設備在高負載條件下的穩定運行和高效性能。
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