--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**B45NF06-VB** 是一款高性能單通道 N 溝道 MOSFET,封裝類型為 TO-263。這款 MOSFET 采用了先進(jìn)的 Trench 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,適合用于各種需要高效率和高功率密度的應(yīng)用場合。其耐壓值達(dá)到 60V,能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,同時(shí)它的門源極電壓(VGS)允許最大為 ±20V,確保了在高電壓條件下的可靠性。該 MOSFET 的 RDS(ON) 在 VGS 為 4.5V 時(shí)為 35mΩ,在 VGS 為 10V 時(shí)為 32mΩ,使其在低導(dǎo)通電阻下具有良好的功率效率。其額定漏極電流(ID)高達(dá) 50A,適合高電流負(fù)載的場景。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: B45NF06-VB
- **封裝**: TO-263
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 60V
- **門源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 35mΩ @ VGS = 4.5V
- 32mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 50A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源管理**:
B45NF06-VB 可以用于電源開關(guān)和電流限制電路中,其低導(dǎo)通電阻能顯著減少功率損耗,從而提高電源的整體效率。在電源模塊中,它能有效地承受高電流負(fù)載并保持穩(wěn)定的性能。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,B45NF06-VB 能夠處理較高的電流和電壓,使其成為驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的理想選擇。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻有助于提升電機(jī)的工作效率和響應(yīng)速度。
3. **開關(guān)電源(SMPS)**:
由于其優(yōu)秀的開關(guān)性能,B45NF06-VB 可以在開關(guān)電源(如開關(guān)模式電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器)中用作開關(guān)元件。其低 RDS(ON) 可以減少能量損耗,提升開關(guān)電源的轉(zhuǎn)換效率。
4. **LED 驅(qū)動(dòng)電路**:
在 LED 驅(qū)動(dòng)電路中,B45NF06-VB 的高電流能力使其能夠驅(qū)動(dòng)高功率 LED,同時(shí)低導(dǎo)通電阻能夠有效減少熱量生成,從而提高整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性和壽命。
這種 MOSFET 的設(shè)計(jì)使其適合用于各種高功率和高效率的應(yīng)用場合,特別是在需要處理大電流和高電壓的環(huán)境下。
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