### 一、產品簡介

B6NK60Z-VB 是一款高電壓單N溝道MOSFET，采用TO263封裝，專為高電壓和高功率應用設計。此MOSFET 采用Plannar技術，具有較高的漏極-源極電壓承受能力，適用于需要高耐壓和中等電流處理能力的電子系統。

### 二、詳細的參數說明

| 參數            | 數值            |
|-----------------|-----------------|
| **封裝類型**     | TO263           |
| **配置**         | 單N溝道         |
| **漏極-源極電壓 (VDS)** | 650V            |
| **柵極-源極電壓 (VGS)** | ±30V            |
| **閾值電壓 (Vth)**       | 3.5V            |
| **導通電阻 (RDS(ON))**    | 1100mΩ @ VGS=10V |
| **連續漏極電流 (ID)**     | 10A             |
| **技術**         | Plannar         |

### 三、應用領域和模塊舉例

1. **高壓電源開關**
  B6NK60Z-VB 在高壓電源開關中表現優異，能夠處理高達650V的漏極-源極電壓，適合用作開關元件或保護電路的關鍵部件，確保高壓電源系統的可靠性和安全性。

2. **逆變器**
  在逆變器應用中，尤其是用于轉換高電壓直流電源為交流電的系統，B6NK60Z-VB 的高電壓耐受能力和穩定的導通特性使其成為理想選擇，提升系統的轉換效率和穩定性。

3. **照明控制**
  在高壓照明控制系統，如高壓熒光燈和LED燈驅動電路中，B6NK60Z-VB 可以有效處理高電壓和高功率需求，保證照明系統的穩定工作和長壽命。

4. **電機驅動**
  在一些高電壓電機驅動應用中，B6NK60Z-VB 能夠提供必要的電流處理能力和高電壓耐受能力，確保電機的可靠啟動和運行。

B6NK60Z-VB 以其高電壓耐受和中等電流處理能力，適用于各種高壓和高功率的電子應用領域。