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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSC042N03MS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSC042N03MS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**BSC042N03MS G-VB** 是一款高性能單 N-Channel MOSFET,封裝形式為 DFN8(5x6)。該 MOSFET 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和高漏電流承載能力,專為要求高效率和高電流的應(yīng)用設(shè)計(jì)。它適用于高功率開(kāi)關(guān)和電源管理系統(tǒng)。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單 N-Channel
- **漏源電壓 (V_DS)**: 30V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(on))**:
 - 2.5mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 1.8mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏電流 (I_D)**: 160A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **高效開(kāi)關(guān)電源**: BSC042N03MS G-VB 可在高效開(kāi)關(guān)電源中作為主要開(kāi)關(guān)使用,提供優(yōu)異的電流處理能力和低功耗特性,提升整體系統(tǒng)效率。

2. **大功率電流驅(qū)動(dòng)**: 適用于需要大電流處理的應(yīng)用,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)和高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,能夠穩(wěn)定地承載高達(dá) 160A 的電流。

3. **電源管理系統(tǒng)**: 在電源管理模塊中使用,提供高效的電流開(kāi)關(guān)和優(yōu)化電源分配,適合電池管理和功率調(diào)節(jié)應(yīng)用。

4. **消費(fèi)電子和計(jì)算機(jī)設(shè)備**: 用于高功率消費(fèi)電子產(chǎn)品和計(jì)算機(jī)主板中,作為高效功率開(kāi)關(guān),確保穩(wěn)定性和降低功耗。

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