### 產品簡介
**BSC048N025S G-VB** 是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用Trench技術制造。它封裝在DFN8 (5x6)中，設計用于需要高電流和高開關頻率的應用。該MOSFET具有30V的漏源電壓（VDS）和最大20V的柵源電壓（VGS），在各種苛刻環境中提供低導通電阻和優異的開關性能，適合用于高效能電源管理和開關應用。
### 參數說明
- **型號**: BSC048N025S G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**: 30V
- **柵源電壓（VGS）**: ±20V
- **閾值電壓（Vth）**: 1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**:
- 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流（ID）**: 160A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊
**BSC048N025S G-VB** 主要適用于以下領域和模塊：
1. **高效電源管理**: 在30V電源轉換器中使用，有助于減少功率損耗，提升系統的能效和可靠性，適合DC-DC轉換器和高效電源模塊。
2. **開關電路**: 用于高開關頻率的開關電路，如逆變器和電源開關模塊，提供低導通電阻和穩定的開關性能。
3. **電動驅動**: 在電動汽車和高電流驅動系統中應用，能夠處理高電流，確保系統的穩定性和高效能。
4. **工業控制**: 用于工業自動化設備中，能夠處理高電流負載，提升系統的整體性能和可靠性。
該MOSFET的高電流和低導通電阻特性使其在多個高效能應用場景中表現優異。
