--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT23封裝
- 溝道 P—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
VBsemi AP2321GN-VB 是一款 P—Channel 溝道的場效應晶體管,具體參數如下:
- 額定電壓(VDS):-30V
- 額定電流(ID):-5.6A
- 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):47mΩ(在VGS=10V, VGS=20V時)
- 閾值電壓(Vth):-1V
封裝為 SOT23。
**應用簡介:**
該晶體管適用于各種電子領域,特別是在需要 P-Channel 溝道的電路中,例如功率放大器、開關電源等。由于其低漏極-源極電阻和高電流承受能力,它可以在要求較高功率和效率的電路中得到應用。
**主要特點:**
- 超低漏極-源極電阻
- 高電流承受能力
- 適用于負載開關和功率放大器等應用
**典型應用領域和模塊:**
1. **功率放大器模塊:** 由于其高電流承受能力,可用于音頻功率放大器模塊。
2. **開關電源模塊:** 適用于開關電源模塊,提供穩定的電源輸出。
3. **驅動電路:** 可用于各種需要 P—Channel 溝道的驅動電路。
這款晶體管在設計中可以用于要求低漏電流、高效率和較高功率的電子設備。
為你推薦
-
BSL307SP-VB一款Single-P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:43
產品型號:BSL307SP-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Single-P -
BSL306N-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:41
產品型號:BSL306N-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Dual-N+N -
BSL215P-VB一款Dual-P+P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:38
產品型號:BSL215P-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Dual-P+P -
BSL214N-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:37
產品型號:BSL214N-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Dual-N+N -
BSL211SP-VB一款Single-P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:35
產品型號:BSL211SP-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Single-P -
BSL207SP-VB一款Single-P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:34
產品型號:BSL207SP-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Single-P -
BSL207N-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:32
產品型號:BSL207N-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Dual-N+N -
BSL205N-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:30
產品型號:BSL205N-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Dual-N+N -
BSH301-VB一款Common Drain-N+N溝道TSSOP8的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:29
產品型號:BSH301-VB 封裝:TSSOP8 溝道:Common Drain-N+N -
BSH207-VB一款Single-P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:27
產品型號:BSH207-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Single-P